Chế tạo và đặc trưng của một chuyển mạch quang dẫn siêu nhanh
Email tác giả liên hệ:
trungpt@hcmute.edu.vnTừ khóa:
chuyển mạch quang dẫn siêu nhanh, LT-GaAs, sóng hướng dẫn, dòng quang điệnTóm tắt
Các linh kiện quang bán dẫn phát các xung điện pico giây và femto giây đang là một chủ đề nghiên cứu rất mạnh trong hơn mười năm qua. Nhu cầu phát triển nhanh các đầu dò và chuyển mạch quang siêu nhanh được chú trọng. Trong báo cáo này, kỹ thuật chế tạo và đặc trưng của một chuyển mạnh quang dẫn siêu nhanh dùng để phát xung siêu dòng ngắn được đề cập cho các ứng dụng trong các linh kiện điện tử như transistor hiệu ứng trường nhanh, điốt đường hầm cộng hưởng nhanh và sóng hướng dẫn. Các xung dòng được phát ra bởi một chuyển mạch quang LT-GaAs và sau đó được dẫn qua một bộ phận sóng hướng dẫn đồng phẳng. Chiều dài xung được đo trực tiếp bằng phương pháp tự tương quan dòng quang điện. Một đáp ứng thời gian nhỏ hơn 10 pico giây tương ứng dải tần số điện từ THz đã được minh chứng.
Tải xuống: 0
Tài liệu tham khảo
A. C. Warren, N. Katzenellenbogen, D. Grischkowsky, J. M. Woodall, M. R. Melloch, and N. Otsuka, Appl. Phys. Lett. 58, 1512 (1999).
J. A. Valdmanis, G. A. Mourou, and C. W. Gabel, Appl. Phys. Lett. 41, 211 (1982).
J. F. Whitaker, G. A. Mourou, T. C. L. G. Sollner, and W. D.Goodhue. “Picosecond switching time measurement of a resonant tunneling diode.” Appl. Phys. Lett., 53:385, (1998).
K. Ogawa, J. Allam, N. de B. Baynes, J. R. A. Cleaver, T. Mishima, and I. Ohbu. “Ultrafast characterization of an inplane gate transistor integrated with photoconductive switches.” Appl. Phys. Lett., 66:1228, 1995.
M. C. Beard, G. M. Turner, and C. A. Schmuttenmaer, J. Phys. Chem. B 106, 7146 (2002)
Martin Griebel. Ultraschnelle Ladungstraeagerdynamik in LTGGaAs und ErAs: GaAs-Uebergittern - Grundlagen und Anwendungen. PhD thesis, Max-Planck-Institut fuer Festkoerperforschung Stuttgart, 2002.
N. Zamdmer, Q. Hu, S. Vergehse, and A. Förster, Appl. Phys. Lett. 74, 1039 (1999).
Shi Wei and Jia Wanli, Chinese J. Semi, Vol. 24, No. 10, Oct., 2003.
Shi Wei, Liang Zhenxian, Feng Jun, et al. “Fabrication and characterization of a high voltage ultra-fast GaAs photoconductive switch,” Chinese Journal of Semiconductor, 1998, 19(6): 437.
T. F. Carruthers and J. F. Weller, J. J.Appl. Phys. 48 (7), 17 February (1986).
Tải xuống
Đã Xuất bản
Cách trích dẫn
Giấy phép
Tác phẩm này được cấp phép theo Giấy phép quốc tế Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 .
Bản quyền thuộc về JTE.
