Mô phỏng đặc trưng dòng điện - điện thế và quy trình chế tạo transistor đơn điện tử (set)

Các tác giả

  • Hoàng Minh Lê Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành phố Hồ Chí Minh

Email tác giả liên hệ:

minhlh@hcmute.edu.vn

Từ khóa:

Transistor đơn điện tử, đặc trưng dòng thế, hàm truyền, hàm Green không cân bằng quá trình chế tạo.

Tóm tắt

Tính toán và mô phỏng SET là bước đầu để xác định các thông số cần thiết cho một cấu trúc SET và cũng là bước quan trọng để phục vụ cho quá trình chế tạo. Cấu trúc SET phải đáp ứng được các yêu cầu về dòng điện và điện thế phù hợp. Điều đó cho thấy rằng, việc mô phỏng cần phải được đầu tư đúng mức, để thuận lợi hơn trong quá trình chế tạo, tiết kiệm được nguyên vật liệu, để có thể sản xuất những sản phẩm có giá trị thực tiễn cao, sản xuất sản phẩm thương mại có giá trị. Trong bài báo này, tác giả đã sử dụng hàm Green không cân bằng để tính toán hàm truyền, mô phỏng đặc trưng dòng - thế của SET, chương trình mô phỏng được viết sử dụng GUI trong Matlab và dùng phần mềm Intellisuite để thiết kế một quy trình chế tạo SET. 

Tải xuống: 0

Dữ liệu tải xuống chưa có sẵn.

Tài liệu tham khảo

Intellisuite user guide, version 8.0/PC, 2005.

R. H. Chen, A. N. Karotkov, and K. K. Likharev, A new logic family based on single electron transistors, Proceedings of Device Res. Conf., p. 44-45, 1995.

C. Wasshuber, SIMON- A simulation for single Electron Tunnel devices and circuits, IEEE Trans. on CAD.,Vol.16, N09, pp. 937-944, 1997.

K. Uchida, K. Matsuzawa, J. Koga, R. Ohba, S. Takagi, and A. Toriumi, Analytical Single Electron Transistor (SET) model design and analysis of realistic SET circuits, Jnp. J. Appl. Phys., vol. 39, pp. 2321-2324, 2000.

Y. S. Yu, J. H. Oh, S. W. Hawng, and D. Ahn, Implementation of single electron circuit simulation by SPICE: KOSEC-SPICE, Proceedings of Asia Pacific Workshop on fundamental application of advanced semiconductor device, p. 85-90, 2000.

S. Mahapatra, A.M. Ionescu, and K. Banerjee (2002), A quasi-analytical SET model for few electron circuit simulation, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 23, no. 7, 2002.

C. Wasshuber , Computational Electronics, New York: Springer-Verlag, 2002.

K. K. Likharev, SETTRAN - A simulator for single lectron transistor, Available: http://hana.physics.sunysb.edu/set/software.

Supriyo Datta, Quantum Transport: Atom to Transistor, Cambridge University Press, 2005.

Nicholas Allec, Robert Knobel, Lisang , Adaptive Simulation of Single – Electron Devices , 978-3-9810801-3-1/ Date 082008EDAA.

Tải xuống

Đã Xuất bản

2016-12-28

Cách trích dẫn

[1]
H. M. Lê, “Mô phỏng đặc trưng dòng điện - điện thế và quy trình chế tạo transistor đơn điện tử (set) ”, JTE, vol 11, số p.h 4, tr 12–21, tháng 12 2016.

Các bài báo được đọc nhiều nhất của cùng tác giả